Freie Elektronen des P-Leiters wandern in die Löcher des N-Leiters.
Am pn-Übergang des Halbleiters entsteht eine Sperrschicht.
In der Grenzschicht befinden sich fast alle freien Ladungsträger.
Die Löcher des N-Leiters werden durch freie Elektronen des P-Leiters besetzt.